Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IPP60R160P6XKSA1
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
IPP60R160P6XKSA1-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3
Maelezo ya Kina:
N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Hesabu:
478 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12805884
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
Ppfn
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IPP60R160P6XKSA1 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
CoolMOS™ P6
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
600 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
23.8A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 750µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
2080 pF @ 100 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
176W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PG-TO220-3
Kifurushi / Kesi
TO-220-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IPP60R160
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Karatasi za data
Jarida la Takwimu
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
50
Majina mengine
SP001017068
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IRLR2905Z
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRLML9301TRPBF
MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
IRL3803STRRPBF
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK