Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IPP600N25N3GXKSA1
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
IPP600N25N3GXKSA1-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
Maelezo ya Kina:
N-Channel 250 V 25A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Hesabu:
647 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12802896
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
9bYD
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IPP600N25N3GXKSA1 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
OptiMOS™
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
250 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
25A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
2350 pF @ 100 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
136W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PG-TO220-3-1
Kifurushi / Kesi
TO-220-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IPP600
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Karatasi za data
Jarida la Takwimu
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
50
Majina mengine
IPP600N25N3GXKSA1-DG
IPP600N25N3G
448-IPP600N25N3GXKSA1
IPP600N25N3 G
IPP600N25N3 G-DG
SP000677832
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IRF8306MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
IPD65R380C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
IPI80N06S207AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3