Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IPP50R190CEXKSA1
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
IPP50R190CEXKSA1-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
Maelezo ya Kina:
N-Channel 500 V 18.5A (Tc) 127W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Hesabu:
13064156
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
XY57
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IPP50R190CEXKSA1 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
CoolMOS™ CE
Ufungaji
Tube
Hali ya Sehemu
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
500 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
18.5A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 6.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 510µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
47.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
1137 pF @ 100 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
127W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PG-TO220-3
Kifurushi / Kesi
TO-220-3
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IPP50R190
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
50
Majina mengine
IPP50R190CE-ND
-IPP50R190CE
SP000850802
IPP50R190CE
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IRLI520NPBF
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FP
IRFZ48ZSPBF
MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
IRF7321D2
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8SO
