Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IPN80R750P7ATMA1
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
IPN80R750P7ATMA1-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
Maelezo ya Kina:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 7.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Hesabu:
3428 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12803756
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
D38V
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IPN80R750P7ATMA1 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
CoolMOS™ P7
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
800 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
7A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 140µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
460 pF @ 500 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
7.2W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PG-SOT223
Kifurushi / Kesi
TO-261-4, TO-261AA
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IPN80R750
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
3,000
Majina mengine
IPN80R750P7ATMA1TR
IPN80R750P7ATMA1CT
IPN80R750P7ATMA1DKR
IFEINFIPN80R750P7ATMA1
2156-IPN80R750P7ATMA1
IPN80R750P7ATMA1-DG
SP001665002
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IPD25N06S240ATMA1
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
IRF7534D1TR
MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
IPA90R1K2C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220
