Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IPB65R065C7ATMA2
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
IPB65R065C7ATMA2-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Maelezo ya Kina:
N-Channel 650 V 33A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Hesabu:
5227 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12801353
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
SZgY
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IPB65R065C7ATMA2 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
CoolMOS™ C7
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
650 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
33A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
3020 pF @ 400 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
171W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PG-TO263-3
Kifurushi / Kesi
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IPB65R065
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
1,000
Majina mengine
SP002447554
IPB65R065C7ATMA2CT
IPB65R065C7ATMA2DKR
IPB65R065C7ATMA2TR
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IPA60R180C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
IPB60R099CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
IPL65R660E6AUMA1
MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK