Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IPB600N25N3GATMA1
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
IPB600N25N3GATMA1-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK
Maelezo ya Kina:
N-Channel 250 V 25A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Hesabu:
4968 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12804282
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
SzVb
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IPB600N25N3GATMA1 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
OptiMOS™
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
250 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
25A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
2350 pF @ 100 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
136W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PG-TO263-3
Kifurushi / Kesi
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IPB600
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Karatasi za data
Jarida la Takwimu
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
1,000
Majina mengine
IPB600N25N3GATMA1CT
IPB600N25N3 GCT-DG
IPB600N25N3 GTR-DG
IPB600N25N3 G
SP000676408
IPB600N25N3 GCT
IPB600N25N3 GDKR
IPB600N25N3GATMA1DKR
IPB600N25N3GATMA1TR
IPB600N25N3 G-DG
IPB600N25N3G
IPB600N25N3 GDKR-DG
IPB600N25N3 GTR
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IRF520NSTRL
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
IPD25DP06LMSAUMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
IRFR5505CPBF
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK