Nyumbani
Bidhaa
Wazalishaji
Kuhusu DiGi
Wasiliana Nasi
Blogu na Machapisho
OMB/Quote
Kenya
Ingiza
Lugha Teule
Lugha ya kisasa unayichagua
Kenya
K switch:
Kiingereza
Ulaya
Uingereza
Ufaransa
Uhispania
Uturuki
Moldova
Lithuania
Norwei
Ujerumani
Ureno
Slovakia
ltaly
Finili
Kirusi
Bulgaria
Denmarki
Estonia
Polandi
Ukreni
Slovenia
Kicheki
Kigiriki
Kroatia
Uyahudi
Serbia
Belarusi
Uholanzi
Swideni
Montenegro
Kibaski
Aisilandi
Bosnia
Kihangaria
Romania
Austria
Ubelgiji
Irelandi
Asia / Pasifiki
China
Vietnam
Indonesia
Thailandi
Laos
Kifilipino
Malaysia
Korea
Japani
HongKong
Taiwani
Singapori
Pakistan
Saudi Arabia
Khatari
Kuwaiti
Cambodia
Myanmar
Afrika, India na Mashariki ya Kati
Umoja wa Falme za Kiarabu
Tajikistan
Madagascar
India
Irani
DR Congo
Afrika Kusini
Misri
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Moroko
Tunisia
Amerika ya Kusini / Oceania
New Zealandi
Angola
Brazili
Msumbiji
Peru
Kolombia
Chile
Venezuela
Ekuado
Bolivia
Uruguay
Ajentina
Paraguay
Australia
Amerika ya Kaskazini
Marekani
Haiti
Kanada
Kosta Rica
Meksiko
Kuhusu DiGi
Kuhusu Sisi
Kuhusu Sisi
Vyeti Vyetu
DiGi Utangulizi
Kwanini DiGi
Sera
Sera ya Ubora
Masharti ya matumizi
Uzingatiaji wa RoHS
Mchakato wa Kurudi
Rasilimali
Mikakati ya Bidhaa
Wazalishaji
Blogu na Machapisho
Huduma
Dhamana ya Ubora
Njia ya Malipo
Kusafirishwa Duniani
Viwango vya Usafirishaji
Maswali ya Mara kwa Mara
Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IPB120N04S4L02ATMA1
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
IPB120N04S4L02ATMA1-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Maelezo ya Kina:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Hesabu:
994 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12803367
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
*
Kampuni
*
Jina la Mawasiliano
*
Simu
*
Barua pepe
Anwani ya Uwasilishaji
Ujumbe
S
w
F
b
(
*
) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IPB120N04S4L02ATMA1 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
OptiMOS™
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
40 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
120A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 110µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
14560 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
158W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 175°C (TJ)
Daraja
Automotive
Uhitimu
AEC-Q101
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PG-TO263-3
Kifurushi / Kesi
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IPB120
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
IPB120N04S4L02ATMA1-DG
Karatasi za data
IPB120N04S4L-02
Jarida la Takwimu
IPB120N04S4L02ATMA1
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
1,000
Majina mengine
2156-IPB120N04S4L02ATMA1
INFINFIPB120N04S4L02ATMA1
SP000979924
448-IPB120N04S4L02ATMA1DKR
IPB120N04S4L02ATMA1-DG
448-IPB120N04S4L02ATMA1TR
448-IPB120N04S4L02ATMA1CT
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
PSMN1R1-40BS,118
MTENGENEZAJI
Nexperia USA Inc.
KIASI KILICHOPATIKANA
3918
Nambari ya Sehemu
PSMN1R1-40BS,118-DG
BEI YA KILA KITU
1.44
AINA YA KUBADILISHA
MFR Recommended
NAMBARI YA SEHEMU
FDB9406-F085
MTENGENEZAJI
onsemi
KIASI KILICHOPATIKANA
784
Nambari ya Sehemu
FDB9406-F085-DG
BEI YA KILA KITU
2.08
AINA YA KUBADILISHA
MFR Recommended
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IRF1404ZGPBF
MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
IPU64CN10N G
MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3
IPSA70R600CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
IRF7467TR
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO