Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IPB081N06L3GATMA1
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
IPB081N06L3GATMA1-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Maelezo ya Kina:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Hesabu:
5151 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12803619
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IPB081N06L3GATMA1 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
OptiMOS™
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
60 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
50A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
8.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 34µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
4900 pF @ 30 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
79W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PG-TO263-3
Kifurushi / Kesi
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IPB081
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Karatasi za data
Jarida la Takwimu
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
1,000
Majina mengine
IPB081N06L3 GDKR-DG
IPB081N06L3GATMA1DKR
IPB081N06L3 GDKR
IPB081N06L3G
SP000398076
IPB081N06L3GATMA1CT
IPB081N06L3 GCT-DG
IPB081N06L3 GTR-DG
IPB081N06L3GATMA1TR
IPB081N06L3 G-DG
IPB081N06L3 GCT
IPB081N06L3 G
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
IRF1503STRRPBF
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
IPP77N06S212AKSA1
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
IPD60R450E6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
