Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
IPAN80R450P7XKSA1
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
IPAN80R450P7XKSA1-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3-31
Maelezo ya Kina:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-FP
Hesabu:
372 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12847694
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
IPAN80R450P7XKSA1 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
CoolMOS™ P7
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
800 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
11A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 220µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
770 pF @ 500 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
29W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PG-TO220-3-FP
Kifurushi / Kesi
TO-220-3 Full Pack
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
IPAN80
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Mchoro wa HTML
Karatasi za data
Jarida la Takwimu
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
50
Majina mengine
SP001632932
IFEINFIPAN80R450P7XKSA1
2156-IPAN80R450P7XKSA1
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
MCH3477-TL-E
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70
FDD5670
MOSFET N-CH 60V 52A TO252
BSS192PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89