Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
BSZ100N06NSATMA1
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
BSZ100N06NSATMA1-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Maelezo ya Kina:
N-Channel 60 V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Hesabu:
28982 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12800737
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
uwSv
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
BSZ100N06NSATMA1 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
Tape & Reel (TR)
Mfululizo
OptiMOS™
Hali ya Bidhaa
Active
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
60 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
40A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 14µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
1075 pF @ 30 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
2.1W (Ta), 36W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PG-TSDSON-8-FL
Kifurushi / Kesi
8-PowerTDFN
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
BSZ100
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
5,000
Majina mengine
BSZ100N06NSATMA1TR
SP001067006
BSZ100N06NSATMA1CT
BSZ100N06NSATMA1DKR
BSZ100N06NSATMA1-DG
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
BSS119NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
IPB049N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
IPD50N06S2L13ATMA2
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31