Nyumbani
Bidhaa
Wazalishaji
Kuhusu DiGi
Wasiliana Nasi
Blogu na Machapisho
OMB/Quote
Kenya
Ingiza
Lugha Teule
Lugha ya kisasa unayichagua
Kenya
K switch:
Kiingereza
Ulaya
Uingereza
Ufaransa
Uhispania
Uturuki
Moldova
Lithuania
Norwei
Ujerumani
Ureno
Slovakia
ltaly
Finili
Kirusi
Bulgaria
Denmarki
Estonia
Polandi
Ukreni
Slovenia
Kicheki
Kigiriki
Kroatia
Uyahudi
Serbia
Belarusi
Uholanzi
Swideni
Montenegro
Kibaski
Aisilandi
Bosnia
Kihangaria
Romania
Austria
Ubelgiji
Irelandi
Asia / Pasifiki
China
Vietnam
Indonesia
Thailandi
Laos
Kifilipino
Malaysia
Korea
Japani
HongKong
Taiwani
Singapori
Pakistan
Saudi Arabia
Khatari
Kuwaiti
Cambodia
Myanmar
Afrika, India na Mashariki ya Kati
Umoja wa Falme za Kiarabu
Tajikistan
Madagascar
India
Irani
DR Congo
Afrika Kusini
Misri
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Moroko
Tunisia
Amerika ya Kusini / Oceania
New Zealandi
Angola
Brazili
Msumbiji
Peru
Kolombia
Chile
Venezuela
Ekuado
Bolivia
Uruguay
Ajentina
Paraguay
Australia
Amerika ya Kaskazini
Marekani
Haiti
Kanada
Kosta Rica
Meksiko
Kuhusu DiGi
Kuhusu Sisi
Kuhusu Sisi
Vyeti Vyetu
DiGi Utangulizi
Kwanini DiGi
Sera
Sera ya Ubora
Masharti ya matumizi
Uzingatiaji wa RoHS
Mchakato wa Kurudi
Rasilimali
Mikakati ya Bidhaa
Wazalishaji
Blogu na Machapisho
Huduma
Dhamana ya Ubora
Njia ya Malipo
Kusafirishwa Duniani
Viwango vya Usafirishaji
Maswali ya Mara kwa Mara
Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
DDC114EU-7
Product Overview
Mtengenezaji:
Diodes Incorporated
Nambari ya Kipande:
DDC114EU-7-DG
Maelezo:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
Maelezo ya Kina:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
Hesabu:
Ombi la Quotations Mtandaoni
12884372
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
*
Kampuni
*
Jina la Mawasiliano
*
Simu
*
Barua pepe
Anwani ya Uwasilishaji
Ujumbe
a
J
H
b
(
*
) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
DDC114EU-7 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
Bipolar (BJT), Mifumo ya Transistor Bipolar, Iliyopangwa Kabla
Mtengenezaji
Diodes Incorporated
Ufungashaji
-
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Discontinued at Digi-Key
Aina ya Transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Sasa - Mkusanyaji (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Uvunjaji wa Emitter ya Mkusanyaji (Max)
50V
Resistor - Msingi (R1)
10kOhms
Resistor - Msingi wa Emitter (R2)
10kOhms
DC Gain ya Sasa (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Ujazaji wa Vce (Max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Sasa - Kukatwa kwa Mkusanyaji (Max)
500nA
Mzunguko - Mpito
250MHz
Nguvu - Max
200mW
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
SOT-363
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
DDC114
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
3,000
Majina mengine
DDC114EU7
DDC114EUDICT
DDC114EUDITR
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
RoHS non-compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
UMH11NTN
MTENGENEZAJI
Rohm Semiconductor
KIASI KILICHOPATIKANA
5963
Nambari ya Sehemu
UMH11NTN-DG
BEI YA KILA KITU
0.07
AINA YA KUBADILISHA
MFR Recommended
NAMBARI YA SEHEMU
PUMH11,115
MTENGENEZAJI
Nexperia USA Inc.
KIASI KILICHOPATIKANA
32211
Nambari ya Sehemu
PUMH11,115-DG
BEI YA KILA KITU
0.03
AINA YA KUBADILISHA
Upgrade
NAMBARI YA SEHEMU
RN4902,LF(CT
MTENGENEZAJI
Toshiba Semiconductor and Storage
KIASI KILICHOPATIKANA
2284
Nambari ya Sehemu
RN4902,LF(CT-DG
BEI YA KILA KITU
0.03
AINA YA KUBADILISHA
MFR Recommended
NAMBARI YA SEHEMU
PUMD3,125
MTENGENEZAJI
Nexperia USA Inc.
KIASI KILICHOPATIKANA
8494
Nambari ya Sehemu
PUMD3,125-DG
BEI YA KILA KITU
0.03
AINA YA KUBADILISHA
MFR Recommended
NAMBARI YA SEHEMU
PUMD3,115
MTENGENEZAJI
Nexperia USA Inc.
KIASI KILICHOPATIKANA
229183
Nambari ya Sehemu
PUMD3,115-DG
BEI YA KILA KITU
0.03
AINA YA KUBADILISHA
MFR Recommended
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
DDA114TU-7-F
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
ADA114YUQ-7
PREBIAS TRANSISTOR SOT363
ADC143ZUQ-13
PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10
DCX143TH-7
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563